Everspin的MRAM技術使用垂直MTJ。該公司開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設計，可提供長數(shù)據(jù)保持率，小單元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
除了金融技術等特定行業(yè)垂直領域，它們在采用MRAM方面看重價值，Patla表示Everspin目標針對三個存儲區(qū)：人工智能（AI），邊緣計算和數(shù)字轉換，其中包括數(shù)據(jù)中心應用。由于MRAM只在讀寫時使用，因此隨著數(shù)據(jù)中心外處理需求的增加和物聯(lián)網部署的增長，它非常適合邊緣計算環(huán)境。
 
Patla表示，價格并不是MRAM采用的關鍵驅動因素。相反，需要快速持久記憶的特定應用程序正在指導客戶的決策。 “人們正在基于價值主張購買，而不是每GB的美元，”他說。
 
目前，Coughlin Associates的創(chuàng)始人Thomas Coughlin表示，MRAM的價格仍然相當高，但它是最有趣的新興存儲技術，因為它的性能接近SRAM和DRAM，其耐久性非常高。 Coughlin表示MRAM對高速緩存的緩存有意義，對于特定的應用，比如用于金融應用的nvNITRO NVMe存儲加速器。
 
“快速完成交易很重要，但記錄同樣重要，”考夫林說，“這是一個有趣的案例研究。時間就是金錢，他們賺的錢比他們花的還多。“
 
考夫林表示，專門的利基市場愿意為MRAM的速度和非波動性的組合支付費用。他指出，Everspin已經出貨了超過7000萬個單位，并且它與晶圓和嵌入式產品GlobalFoundries的合作關系為增加數(shù)量提供了可能性。滿足吸引更多音量的利基市場將有助于Everspin的MRAM變得更加主流。 “這就是GlobalFoundries的產品進來的地方，”他說。

本文關鍵詞：everspin

相關文章：everspin‘s nvNITRO NVMe存儲加速器
 

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。