SRAM作為讀寫速度最快的內(nèi)存介質(zhì)，具備很多優(yōu)勢(shì)，比如，它可以向更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)兼容，具備高能效比的計(jì)算優(yōu)勢(shì)，同時(shí)它又不存在其他非易失性存儲(chǔ)所具備的耐久性問題，更重要的是，基于SRAM的設(shè)計(jì)方案，可以支持純數(shù)字化設(shè)計(jì)，從而能夠解決很多應(yīng)用場(chǎng)景所關(guān)心的精度問題。
 
SRAM方案在現(xiàn)階段具有三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：其一，SRAM是所有存儲(chǔ)類型中最快的，且沒有寫次數(shù)限制，對(duì)于追求快響應(yīng)的場(chǎng)景幾乎是必選；其二，SRAM可向先進(jìn)制程兼容，從而達(dá)到更高的能效比和面效比；其三，相對(duì)新型存儲(chǔ)器，SRAM的工藝成熟度較高，可以相對(duì)較快地實(shí)現(xiàn)技術(shù)落地與量產(chǎn)。
 
存內(nèi)計(jì)算存在多種基于不同存儲(chǔ)介質(zhì)的技術(shù)路徑，如SRAM、Flash及其它新型存儲(chǔ)器。SRAM工藝成熟度高，具有向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高兼容性和無限擦寫次數(shù)的優(yōu)勢(shì)，在計(jì)算時(shí)能夠做到精度無損、讀寫延遲短，適用于諸如自動(dòng)駕駛、無人機(jī)等對(duì)計(jì)算準(zhǔn)確性和反應(yīng)速度要求高的場(chǎng)景。


本文關(guān)鍵詞：SRAM

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