Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
 
MR25H10CDC是一款位寬128Kx8的非易失存儲(chǔ)器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時(shí)序，無(wú)寫延遲和無(wú)限讀/寫耐久性。讀取和寫入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒(méi)有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10CDC在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40℃至+85℃）和AEC-Q1001級(jí)（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項(xiàng)。MR25H10CDC采用5mmx6mm8引腳DFN封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。Everspin代理英尚微支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
1Mb串行mram特性
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN RoHS兼容封裝
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級(jí)選項(xiàng)
 
MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。，市場(chǎng)上已有從非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片，并且正在將這種技術(shù)用于許多應(yīng)用。這使得 MRAM 適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。

MR25H10系列產(chǎn)品

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple / T&R	MOQ / T&R
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000	4000

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