Everspin 非揮發(fā)性存儲芯片MR2A16AMYS35
2018-05-28 15:21:31
自20世紀90年代以來，MRAM或磁阻隨機存取存儲器一直在發(fā)展中。 基于90年代以來在硬盤驅(qū)動器行業(yè)使用的相同磁性技術(shù)，它是一種新興技術(shù)之一，已被認為是下一代存儲器的替代品，可取代DRAM和NAND閃存等半導(dǎo)體行業(yè)的中堅力量，磁阻隨機存取存儲器（MRAM）技術(shù)先驅(qū)——Everspin推出4MB并行總線接口的MRAM芯片MR2A16AMYS35。
這款并行MRAM芯片采用符合RoHS標準的44芯TSOP II型封裝，為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。MR2A16AMYS35能夠在擴展級（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。
Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MRAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，主要用來擴展μC/OS-II功能。在不需要電能的情況下可以保留存儲內(nèi)容至少十年。就無法滿足系統(tǒng)健壯性要求，
?表為并行MRAM型號產(chǎn)品列表
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞：
Everspin
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