預(yù)測(cè)2025年，中國(guó)車(chē)用SiC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到129.9億元，年均增長(zhǎng)率保持在97.2%。
 
具有耐高壓、耐高頻特性的碳化硅（SiC）器件在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用越來(lái)越多。目前，SiC器件常用于主驅(qū)動(dòng)逆變器、OBC（車(chē)載充電器）、DC-DC車(chē)載電源轉(zhuǎn)換器和大功率DCDC充電設(shè)備。
 
SiC器件尺寸緊湊，可以大大降低新能源汽車(chē)的功率損耗，使其在200℃高溫下仍能正常工作。微型輕量化的 SiC 器件還可以減少因車(chē)輛本身重量而導(dǎo)致的能耗。
 
相比主流的第一代半導(dǎo)體——硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。
 
碳化硅晶體材料應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)：
   
估計(jì)2022年中國(guó)車(chē)用SiC基板需求量約為16.9億元人民幣。由于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的增長(zhǎng)和SiC產(chǎn)品的廣泛采用，2025年中國(guó)車(chē)用SiC基板市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到129.9億元人民幣，顯示 97.2% 的年均增長(zhǎng)率。
 
估計(jì)碳化硅晶圓產(chǎn)能將從2021年的12.5萬(wàn)片 6英寸晶圓增加到2030年超過(guò)400萬(wàn)片6英寸等效晶圓，以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的需求。
 
碳化硅襯底正在取代更多的汽車(chē)硅基 IGBT。從SiC器件成本結(jié)構(gòu)（基板46%、外延片23%、模塊20%）可以看出，2025年中國(guó)新能源汽車(chē)SiC器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到282.4億元，
 
碳化硅有可能徹底改變多個(gè)市場(chǎng)。電動(dòng)汽車(chē)和充電基礎(chǔ)設(shè)施是推動(dòng)采用碳化硅芯片的大趨勢(shì)。

本文關(guān)鍵詞：SiC,碳化硅,DC-DC車(chē)載電源轉(zhuǎn)換器

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